[发明专利]半导体晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 200810080695.3 | 申请日： | 2008-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN101276791A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | T·施罗德;P·施托克;H－J·米西希 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L27/12;H01L21/00;H01L21/316;H01L21/3105;H01L21/762;H01L21/20;H01L21/84 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及包括以下给定顺序的层的半导体晶片：主要由硅组成的单晶基底晶片(1)；第一非晶中间层(2)，其含有电绝缘材料且厚度为20nm至100nm；单晶态的第一氧化物层(3)，其具有立方Ia－3晶体结构及(Me12O3)1－x(Me22O3)x的组成，其中Me1和Me2均为金属且0≤x≤1，其晶格常数与所述基底晶片的材料的晶格常数偏差0至5％。本发明还涉及用于通过外延沉积制造该半导体晶片的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、包括以下给定顺序的层的半导体晶片：-主要由硅组成的单晶基底晶片(1)，-第一非晶中间层(2)，其含有电绝缘材料且厚度为20nm至100nm，-单晶态的第一氧化物层(3)，其具有立方Ia-3晶体结构及(Me12O3)1-x(Me22O3)x的组成，其中Me1和Me2均为金属且0≤x≤1，其晶格常数与所述基底晶片的材料的晶格常数偏差0至5％。
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