[发明专利]半导体晶片及其制造方法

权利要求书

1、包括以下给定顺序的层的半导体晶片：

-主要由硅组成的单晶基底晶片(1)，

-第一非晶中间层(2)，其含有电绝缘材料且厚度为20nm至100nm，

-单晶态的第一氧化物层(3)，其具有立方Ia-3晶体结构及(Me1₂O₃)_1-x(Me2₂O₃)_x的组成，其中Me1和Me2均为金属且0≤x≤1，其晶格常数与所述基底晶片的材料的晶格常数偏差0至5％。

2、根据权利要求1的半导体晶片，其中所述基底晶片(1)包含90％至100％的硅。

3、根据权利要求1或2的半导体晶片，其中所述第一非晶中间层(2)的电绝缘材料包括氧化硅或金属硅酸盐或它们的混合物。

4、根据权利要求1至3之一的半导体晶片，其中Me1和Me2均为稀土金属或过渡金属。

5、根据权利要求4的半导体晶片，其中Me1为镨，而Me2为钇。

6、根据权利要求1至5之一的半导体晶片，其中所述第一氧化物层(3)横穿其整个厚度具有均匀的晶格常数。

7、根据权利要求1至6之一的半导体晶片，其额外包括与所述第一氧化物层(3)相邻的单晶态的第二氧化物层(4)，所述第二氧化物层(4)具有立方Ia-3晶体结构及(Me3₂O₃)_1-y(Me4₂O₃)_y的组成，其中Me3和Me4均为金属且0≤y≤1，y以直至所述第一氧化物层(3)的界面处的值y1开始，且横穿所述第二氧化物层(4)的厚度发生改变，以使所述第二氧化物层(4)的材料的晶格常数横穿其厚度发生改变，并且y以所述第二氧化物层(4)的表面处的值y2结束，选择值y1以使所述第二氧化物层(4)在其直至所述第一氧化物层(3)的界面处的晶格常数与所述第一氧化物层(3)的材料的晶格常数偏差0至2％。

8、根据权利要求7的半导体晶片，其中Me3和Me4均为稀土金属或过渡金属。

9、根据权利要求8的半导体晶片，其中Me3为镨，而Me4为钇。

10、根据权利要求1至9之一的半导体晶片，其额外包括由单晶半导体材料构成的表面层(8)。

11、根据权利要求10的半导体晶片，其额外包括与所述由单晶半导体材料构成的表面层(8)相邻的含有电绝缘材料的第二非晶中间层(7)。

12、根据权利要求7的半导体晶片，其额外包括由Me5₂O_w构成的单晶态的第三氧化物层(51)，其中Me5是金属且3＜w≤4。

13、根据权利要求12的半导体晶片，其中Me5是稀土金属或过渡金属。

14、根据权利要求13的半导体晶片，其中Me5为镨。

15、根据权利要求12至14之一的半导体晶片，其额外包括与所述第三氧化物层(51)相邻的单晶态的第四氧化物层(6)，所述第四氧化物层(6)具有立方Ia-3晶体结构及(Me6₂O₃)_1-z(Me7₂O₃)_z的组成，其中Me6和Me7均为金属且0≤z≤1，z以直至所述第三氧化物层(51)的界面处的值z1开始，且横穿所述第四氧化物层(6)的厚度发生改变，以使所述第四氧化物层(6)的材料的晶格常数横穿其厚度发生改变，并且z以所述第四氧化物层(6)的表面处的值z2结束。

16、根据权利要求15的半导体晶片，其额外包括由单晶半导体材料构成的表面层(8)。