[发明专利]垂直磁记录介质及其制造方法、磁记录装置无效
| 申请号: | 200810080437.5 | 申请日: | 2008-02-19 |
| 公开(公告)号: | CN101252001A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
| 发明(设计)人: | 向井良一 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
| 主分类号: | G11B5/667 | 分类号: | G11B5/667;G11B5/738 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张龙哺;冯志云 |
| 地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 一种垂直磁记录介质及其制造方法、磁记录装置,所述介质包括:软磁衬层,形成在衬底上;取向控制层,形成在软磁衬层上;第一基础层,为形成在取向控制层上的Ru或Ru合金连续膜;第二基础层,包括形成在第一基础层上的Ru或Ru合金多个晶粒及将其相分隔的间隙;记录层,包括分别与多个晶粒相对应地形成在第二基础层上的多个磁粒子及将其相隔离的无磁晶界相,每个磁粒子在与衬底表面基本垂直的方向具有易磁化轴,第一基础层包括在各晶界处彼此接触的多个晶粒,构成第二基础层的多个晶粒之一与构成第一基础层的多个晶粒之一相对应地形成,第二基础层中与构成第一基础层的多个晶粒之一相对应的晶粒与取向控制层之间的界面处设置有多个晶核。 | ||
| 搜索关键词: | 垂直 记录 介质 及其 制造 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种垂直磁记录介质,包括:衬底;软磁衬层,形成在所述衬底上方;取向控制层,形成在所述软磁衬层上方;第一基础层,由形成在所述取向控制层上的Ru或Ru合金的连续膜制成;第二基础层,包括形成在所述第一基础层上的Ru或Ru合金的多个晶粒,所述多个晶粒通过间隙彼此分隔;以及记录层,包括形成在所述第二基础层上并与所述多个晶粒分别对应的多个磁粒子以及将所述多个磁粒子彼此隔离的无磁晶界相,所述多个磁粒子中的每一个在与衬底表面基本垂直的方向上具有易磁化轴,其中,所述第一基础层包括在各晶界处彼此接触而形成的多个晶粒,构成所述第二基础层的所述多个晶粒中的一个晶粒以与构成所述第一基础层的所述多个晶粒中的一个晶粒相对应的方式形成,以及其中,在所述第二基础层中与构成所述第一基础层的所述多个晶粒中的所述一个晶粒相对应的所述晶粒与所述取向控制层之间的界面处设置有多个晶核。
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