[发明专利]垂直磁记录介质及其制造方法、磁记录装置

权利要求书

1.一种垂直磁记录介质，包括：

衬底；

软磁衬层，形成在所述衬底上方；

取向控制层，形成在所述软磁衬层上方；

第一基础层，由形成在所述取向控制层上的Ru或Ru合金的连续膜制成；

第二基础层，包括形成在所述第一基础层上的Ru或Ru合金的多个晶粒，所述多个晶粒通过间隙彼此分隔；以及

记录层，包括形成在所述第二基础层上并与所述多个晶粒分别对应的多个磁粒子以及将所述多个磁粒子彼此隔离的无磁晶界相，所述多个磁粒子中的每一个在与衬底表面基本垂直的方向上具有易磁化轴，

其中，所述第一基础层包括在各晶界处彼此接触而形成的多个晶粒，

构成所述第二基础层的所述多个晶粒中的一个晶粒以与构成所述第一基础层的所述多个晶粒中的一个晶粒相对应的方式形成，以及

其中，在所述第二基础层中与构成所述第一基础层的所述多个晶粒中的所述一个晶粒相对应的所述晶粒与所述取向控制层之间的界面处设置有多个晶核。

2.如权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中所述多个晶核中的每一个包括元素Pt、W、Ag、Au或者合金中的任一种，所述合金包含所述元素中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中所述多个晶核中的每一个选自Ru、Ru合金、Ti、Ta、Co和CoPt。

4.如权利要求3所述的垂直磁记录介质，其中所述Ru合金包含选自Co、Cr、Fe、Ni、W和Mn中的至少一种元素。

5.如权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中所述取向控制层包括厚度为2.0nm或更大的Ta膜。

6.如权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中构成所述记录层的所述多个磁粒子包含Co或Cr作为主要元素，并且所述无磁晶界相包含金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物和碳中的任一种。

7.如权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中在所述第一基础层和第二基础层的每一个中，所述Ru合金具有hcp结构，并且除了Ru之外，还包含选自Co、Cr、Fe、Ni、W和Mn中的至少一种元素。

8.一种磁记录装置，包括：

垂直磁记录介质；

磁头，在所述垂直磁记录介质上方进行扫描；以及

驱动系统，用以使所述磁头在所述垂直磁记录介质上方进行扫描，所述垂直磁记录介质包括：

衬底；

软磁衬层，形成在所述衬底上方；

取向控制层，形成在所述软磁衬层上方；

第一基础层，由形成在所述取向控制层上的Ru或Ru合金的连续膜制成；

第二基础层，包括形成在所述第一基础层上的Ru或Ru合金的多个晶粒，以及将所述多个晶粒彼此分隔的间隙；以及

记录层，包括形成在所述第二基础层上并与所述多个晶粒分别对应的多个磁粒子以及将所述多个磁粒子彼此隔离的无磁晶界相，所述多个磁粒子中的每一个在与衬底表面基本垂直的方向上具有易磁化轴，

其中，所述第一基础层包括在各晶界处彼此接触而形成的多个晶粒，

构成所述第二基础层的所述多个晶粒中的一个晶粒以与构成所述第一基础层的所述多个晶粒中的一个晶粒相对应的方式形成，以及

其中，在所述第二基础层中与构成所述第一基础层的所述多个晶粒中的所述一个晶粒相对应的所述晶粒与所述取向控制层之间的界面处设置有多个晶核。

9.一种垂直磁记录介质的制造方法，所述垂直磁记录介质包括：衬底；软磁衬层，形成在所述衬底上方；取向控制层，形成在所述软磁衬层上方；第一基础层，由形成在所述取向控制层上的Ru或Ru合金的连续膜制成；第二基础层，包括形成在所述第一基础层上的Ru或Ru合金的多个晶粒，以及将所述多个晶粒彼此分隔的间隙；以及记录层，包括形成在所述第二基础层上并与所述多个晶粒对应的多个磁粒子以及将所述多个磁粒子彼此隔离的无磁相，所述多个晶粒中的每一个在与衬底表面垂直的方向上具有易磁化轴，

所述方法包括如下步骤：

通过溅射工艺，在所述取向控制层上彼此分隔地沉积晶核；以及

通过在其上形成有所述晶核的所述取向控制层上进行溅射来沉积Ru或所述Ru合金，而以所述Ru或Ru合金的连续膜的形式形成所述第一基础层。