[发明专利]闪存装置的编程方法无效
| 申请号： | 200810074090.3 | 申请日： | 2008-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN101388250A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 李熙烈 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在导通串内的存储单元，以电连接沟道区域的闪存装置的编程方法中，通过将地电压施加于连接至包括将要被编程的单元的第一串的第一位线，均匀地为第二串内的所有的沟道区域预先充电，并将编程禁止电压施加于连接至包括编程禁止单元的第二串的第二位线。如果执行编程操作，则在包括编程禁止单元的第二串内的沟道区域中出现沟道升压。相应地，能够增加沟道升压电压，并且能够防止在其中编程禁止单元的阈值电压改变的编程扰动现象。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 装置 编程 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种闪存装置的编程方法，所述编程方法包括：提供包括漏极选择线、源极选择线、和字线的存储装置，并将串连接在位线与公共源极线之间；在所述串内的沟道区域未电连接至所述位线的状态中，施加编程禁止电压；将通过电压施加于所述字线；将漏极选择电压施加于所述漏极选择线；以及通过将比所述通过电压高的编程电压施加于所述字线中所选的一条，而执行编程操作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810074090.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：燃料电池系统
- 下一篇：用于精密冲裁和成型工件的方法和装置
