[发明专利]闪存装置的编程方法

权利要求书

1.一种闪存装置的编程方法，所述编程方法包括：

提供包括漏极选择线、源极选择线、和字线的存储装置，并将串连接在 位线与公共源极线之间；

施加编程禁止电压到与包括编程禁止单元的第一串耦接的第一位线，其 中所述串内的沟道区域未电连接至所述位线；

将通过电压施加于所述字线；

在施加通过电压之后，将漏极选择电压施加于所述漏极选择线；以及

在施加漏极选择电压之后，将编程电压施加于一所选字线，

其中所述编程电压高于所述通过电压。

2.如权利要求1所述的编程方法，其中不论编程状态如何，根据所述通 过电压导通共享所述字线的存储单元。

3.如权利要求1所述的编程方法，其中施加于所述所选字线的所述通过 电压的值上升至所述编程电压的值。

4.如权利要求1所述的编程方法，其中在所述通过电压之前施加所述编 程禁止电压。

5.如权利要求1所述的编程方法，其中在所述编程禁止电压之前施加所 述通过电压。

6.如权利要求1所述的编程方法，其中在大致相同的时间施加所述通过 电压和所述编程禁止电压。

7.如权利要求1所述的编程方法，其中所述漏极选择电压具有与所述编 程禁止电压大致相同的值。

8.如权利要求1所述的编程方法，进一步包括在编程期间将正电压施加 于公共源极线。

9.如权利要求1所述的编程方法，其中在所述源极选择线与所述漏极选 择线之间的半导体衬底中布置所述串内的所述沟道区域。

10.如权利要求1所述的编程方法，其中在所述字线下的半导体衬底中 布置所述串内的所述沟道区域。

11.如权利要求1所述的编程方法，其中当编程禁止电压被施加于第一位 线时，将地电压施加于与包括将要被编程的单元的第二串耦接的第二位线。

12.一种闪存装置的编程方法，所述编程方法包括：

提供包括漏极选择线、源极选择线、和字线的存储装置，并将串连接在 位线与公共源极线之间；

在所述串内的沟道区域未电连接至所述位线的浮动状态中，将编程禁止 电压施加于第一位线；

通过将通过电压施加于所述字线，电连接所述沟道区域；

在电连接所述沟道区域之后，将漏极选择电压施加于所述漏极选择线； 以及

在施加漏极选择电压之后，将编程电压施加于一所选字线，

其中所述编程电压高于所述通过电压。

13.如权利要求12所述的编程方法，其中通过施加所述通过电压产生沟 道升压现象。

14.如权利要求12所述的编程方法，其中在所述通过电压之前施加所述 编程禁止电压。

15.如权利要求12所述的编程方法，其中在所述编程禁止电压之前施加 所述通过电压。

16.如权利要求12所述的编程方法，其中在大致相同的时间施加所述通 过电压和所述编程禁止电压。

17.如权利要求12所述的编程方法，其中在所述编程期间，将正电压施 加于公共源极线。

18.如权利要求12所述的编程方法，其中在所述源极选择线与所述漏极 选择线之间的半导体衬底中布置所述串内的所述沟道区域。

19.如权利要求12所述的编程方法，其中在所述字线下的半导体衬底中 布置所述串内的所述沟道区域。

20.如权利要求12所述的编程方法，其中当所述编程禁止电压被施加于 第一位线时，将地电压施加于与包括将要被编程的单元的第二串耦接的第二 位线。