[发明专利]一种改良电流扩展层结构的高效发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 200810072027.6 | 申请日： | 2008-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101388430A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 蔡建九;张银桥;张双翔;王向武 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 | 代理人： | 李 宁 |
| 地址： | 361000福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种改良电流扩展层结构的高效发光二极管及其制造方法。N-GaAs衬底上外延的材料自下而上依次包括n-GaAs缓冲层、AlAs/AlxGa1-xAs或AlInP/(AlxGa1-x)yIn1-yP布拉格反射层、n-(AlxGa1-x)yIn1-yP下限制层、Undoped-(AlxGa1-x)yIn1-yP有源区、p-(AlxGa1-x)yIn1-yP上限制层、p++AlxGa1-xAs和p-GaP组合电流扩展层，p++AlxGa1-xAs在下面为第一电流扩展层，p-GaP在上面为第二电流扩展层。此结构集GaP和AlxGa1-xAs材料的优点于一体，避免材料的氧化，保证电流扩展和器件的可靠性、稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改良 电流 扩展 结构 高效 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种改良电流扩展层结构的高效发光二极管，其特征在于：N-GaAs衬底上外延的材料自下而上依次包括n-GaAs缓冲层、AlAs/AlxGa1-xAs或AlInP/(AlxGa1-x)yIn1-yP布拉格反射层、n-(AlxGa1-x)yIn1-yP下限制层、Undoped-(AlxGa1-x)yIn1-yP有源区、p-(AlxGa1-x)yIn1-yP上限制层、p++AlxGa1-xAs和p-GaP组合电流扩展层，p++AlxGa1-xAs在下面为第一电流扩展层，p-GaP在上面为第二电流扩展层。
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