[发明专利]一种非中心对称结构稀土硫化物的晶体生长方法无效
| 申请号： | 200810071789.4 | 申请日： | 2008-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN101676449A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 曾卉一;郭国聪;郑发鲲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B9/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非中心对称结构稀土硫化物的晶体生长方法。选择稀土元素Er，四配位元素Ge和过渡金属Cu，以相应的二元硫化物或单质元素为反应起始物，通过高温固相反应制备前体并通过碱金属卤化物助熔剂技术合成并生长了空间群为P63的非中心对称结构稀土硫化物Er6Cu2Ge2S14。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中心对称 结构 稀土 硫化物 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非中心对称结构稀土硫化物Er6Cu2Ge2S7的晶体生长方法，其特征在于：选择稀土元素Er，四配位元素Ge和过渡金属元素Cu，以相应的二元硫化物或单质元素为反应起始物，通过高温固相反应制备前体并通过碱金属卤化物助熔剂技术进行晶体生长。
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