[发明专利]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 200810067172.5 | 申请日： | 2008-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN101582449A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 姜开利;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管，包括一源极、一漏极、一半导体层及一栅极，该漏极与该源极间隔设置，该半导体层与该源极和漏极电连接，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置，其中，该半导体层包括至少两个沿相同方向重叠的碳纳米管薄膜，每一碳纳米管薄膜包括多个首尾相连且沿同一方向排列的碳纳米管，且至少部分碳纳米管沿源极至漏极方向排列。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：一源极；一漏极，该漏极与该源极间隔设置；一半导体层，该半导体层与该源极和漏极电连接；以及一栅极，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置；其特征在于，该半导体层包括至少两个沿相同方向重叠的碳纳米管薄膜，每一碳纳米管薄膜包括多个首尾相连且沿同一方向排列的碳纳米管，且至少部分碳纳米管的排列方向沿源极至漏极方向延伸。
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