[发明专利]场发射显示器阴极的单壁纳米碳管薄膜及制作和测试方法无效
| 申请号： | 200810062155.2 | 申请日： | 2008-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101286429A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 王淼;周俊杰;李振华;尚学府;赵沛;顾智企 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J29/04;H01J9/02;C01B31/02;C23C14/38;C23C14/06;H01J9/42 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场发射显示器阴极的单壁纳米碳管薄膜及制作和测试方法。在特制的电弧放电装置中，使单壁纳米碳管薄膜直接生长在安装于镀有氧化铟锡薄膜的上阴极石墨极板的浮化玻璃基板上，可在较低的温度条件(低于600℃)下，直接得到单壁纳米碳管薄膜，并将其制备成多条单壁纳米碳管条形薄膜，以此薄膜为场发射显示器阴极。在另一镀有透明氧化铟锡薄膜的浮化玻璃基板上，利用丝印技术涂覆场发射用的绿色荧光粉，以其作为阳极。使用高真空场发射性能测试设备对其场发射电流和发射性能进行测试。本发明可制备大面积场发射显示器，显示器具有亮度高、发光均匀稳定，工作电压低等特点。可以获得低电压、高亮度、均匀、稳定发光的显示效果。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 显示器 阴极 纳米 薄膜 制作 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场发射显示器阴极的单壁纳米碳管薄膜，其特征在于在镀有氧化铟锡薄膜的浮化玻璃基板上等间距设有多条单壁纳米碳管条形薄膜阴极。
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