[发明专利]N2O掺杂p型Zn1－xCoxO稀磁半导体薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200810059939.X | 申请日： | 2008-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101235457A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 朱丽萍;叶志高;叶志镇;赵炳辉 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C22C29/12 | 分类号： | C22C29/12;C23C24/10;H01L43/10;H01L43/12;H01L21/36;H01F41/14;H01F10/193 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及N2O掺杂生长p型Zn1－xCoxO稀磁半导体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法。靶材是由纯ZnO、Co2O3粉末混合烧结的陶瓷靶，其中Co的摩尔百分含量x为0＜x≤10％。将衬底清洗后放入脉冲激光沉积装置生长室中，生长室抽真空，在压强为2～15Pa的N2O气氛下生长，生长温度为300～700℃。本发明方法简单，p型掺杂浓度可以通过调节N2O气体压强来控制；本方法制得的p型Zn1－xCoxO稀磁半导体薄膜同时具有半导体的性能及磁学性能。载流子浓度为1015～1018cm－3。 | ||
| 搜索关键词： | sub 掺杂 zn co 半导体 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.N2O掺杂p型Zn1-xCoxO稀磁半导体薄膜，其特征是该薄膜的载流子浓度为1015～1018cm-3，Co的摩尔百分含量x为0＜x≤10％。
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