[发明专利]N2O掺杂p型Zn1－xCoxO稀磁半导体薄膜及其制备方法

权利要求书

1.N₂O掺杂p型Zn_1-xCo_xO稀磁半导体薄膜，其特征是该薄膜的载流子浓度为10¹⁵～10¹⁸cm^-3，Co的摩尔百分含量x为0＜x≤10％。

2.根据权利要求1所述的N₂O掺杂p型Zn_1-xCo_xO稀磁半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：

1)称量纯ZnO、Co₂O₃粉末，其中Co的摩尔百分含量x为0＜x≤10％，将上述粉末球磨混合均匀、压制成型，然后在1000～1300℃温度下烧结，制得掺Co的Zn_1-xCo_xO陶瓷靶；

2)将步骤1)制得的陶瓷靶和清洗过的衬底放入脉冲激光沉积装置生长室中，保持靶材与衬底之间的距离为4～6cm，生长室真空度至少抽至10^-3Pa，衬底加热升温到300～700℃，生长室通入N₂O气体，控制压强为2～15Pa，开启激光器，让激光束聚焦到靶面烧蚀靶材，沉积在衬底上，得到N₂O掺杂p型Zn_1-xCo_xO稀磁半导体薄膜，将薄膜在50Pa氧气氛下冷却至室温。

3.根据权利要求2所述的N₂O掺杂p型Zn_1-xCo_xO稀磁半导体薄膜的制备方法，其特征在于所说的衬底是硅或蓝宝石或氧化锌或石英或玻璃。