[发明专利]高偏振单偶极模的光子晶体微腔结构无效
| 申请号： | 200810057179.9 | 申请日： | 2008-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN101499622A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 郑婉华;陈微;邢名欣;任刚;周文君;刘安金;陈良惠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/34;H01S3/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高偏振单偶极模的光子晶体微腔结构，该结构采用准三维的光子晶体薄板结构，由形成于半导体材料薄板上的空气孔构成，该结构的中心为缺陷腔，与缺陷腔最邻近六个空气孔的半径小于其他空气孔的半径，该结构在半导体材料薄板平面的纵向(y方向)上进行了拉伸。利用本发明，能够获得高偏振的单偶极模，并且在工艺上也较为容易实现。 | ||
| 搜索关键词： | 偏振 单偶极模 光子 晶体 结构 | ||
【主权项】：
1、一种高偏振单偶极模的光子晶体微腔结构，其特征在于，该结构采用准三维的光子晶体薄板结构，由形成于半导体材料薄板上的空气孔构成，该结构的中心为缺陷腔，与缺陷腔最邻近六个空气孔的半径小于其他空气孔的半径，该结构在半导体材料薄板平面的纵向进行了拉伸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810057179.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
