[发明专利]高偏振单偶极模的光子晶体微腔结构无效
| 申请号： | 200810057179.9 | 申请日： | 2008-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN101499622A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 郑婉华;陈微;邢名欣;任刚;周文君;刘安金;陈良惠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/34;H01S3/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 偏振 单偶极模 光子 晶体 结构 | ||
1、一种高偏振单偶极模的光子晶体微腔结构，其特征在于，该结构采用准三维的光子晶体薄板结构，由形成于半导体材料薄板上的空气孔构成，该结构的中心为缺陷腔，与缺陷腔最邻近六个空气孔的半径小于其他空气孔的半径，该结构在半导体材料薄板平面的纵向进行了拉伸。
2、根据权利要求1所述的高偏振单偶极模的光子晶体微腔结构，其特征在于，该结构是三角晶格空气孔结构。
3、根据权利要求1所述的高偏振单偶极模的光子晶体微腔结构，其特征在于，所述缺陷腔是通过去除中心空气孔实现的。
4、根据权利要求1所述的高偏振单偶极模的光子晶体微腔结构，其特征在于，所述半导体材料为有源高介质折射率材料，其模式的波长范围可覆盖近紫外到红外波段，该有源高介质折射率材料为III至V族半导体量子阱或量子点材料，或者为II至VI族半导体材料。
5、根据权利要求4所述的高偏振单偶极模的光子晶体微腔结构，其特征在于，所述III至V族半导体量子阱或量子点材料为GaN/AlGaN材料、GaAs/AlGaAs材料或InP/InGaAsP材料；所述II至VI族半导体材料为ZnO材料。
6、根据权利要求1所述的高偏振单偶极模的光子晶体微腔结构，其特征在于，该结构具有两种不同频率的高偏振模式，并且偏振方向相互垂直。
7、根据权利要求1所述的高偏振单偶极模的光子晶体微腔结构，其特征在于，所述三角晶格空气孔结构的周期a，空气孔半径r＝0.3a，与缺陷腔最邻近六个空气孔的半径r2＝0.7r，在空气孔所在平面的纵向拉伸了δ＝1.1倍，半导体材料薄板的厚度d＝0.55a。
8、根据权利要求7所述的高偏振单偶极模的光子晶体微腔结构，其特征在于，所述空气孔所在平面的纵向为y方向。
9、根据权利要求1所述的高偏振单偶极模的光子晶体微腔结构，其特征在于，所述半导体材料薄板平面的纵向为y方向。
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