[发明专利]增强MOS器件沟道区应变的方法无效
| 申请号： | 200810056276.6 | 申请日： | 2008-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101295647A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 郭磊;王敬;许军;刘佳磊;梁仁荣;刘志弘 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L21/8238;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱印康 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 进一步提高沟道材料的应变程度，提高迁移率，增强器件性能的增强MOS器件沟道区应变的方法。技术方案是：增强MOS器件沟道区应变的方法，其特征是包括下列步骤：在硅衬底上外延组分渐变的SiGe层，再外延锗层或硅层，得到应变的沟道材料层，然后再通过工艺的方法引入更大的应力，进一步提高材料的应变程度，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 mos 器件 沟道 应变 方法 | ||
【主权项】：
1、增强MOS器件沟道区应变的方法，其特征是包括下列步骤：在体硅衬底上利用直接外延的方法制作出应变的SiGe层作为沟道层，或者在SOI衬底上键合一层低Ge组分的SiGe层做为虚拟衬底，在其上外延应变的Si或高Ge组分SiGe做为沟道材料层，然后再通过工艺诱生的方法引入增大的应力，进一步提高材料的应变程度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810056276.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件的制作方法
- 下一篇：用纸排出装置、图像形成装置及用纸排出方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
