[发明专利]增强MOS器件沟道区应变的方法

权利要求书

1、增强MOS器件沟道区应变的方法，其特征是包括下列步骤：在体硅衬底上利用直接外延的方法制作出应变的SiGe层作为沟道层，或者在SOI衬底上键合一层低Ge组分的SiGe层做为虚拟衬底，在其上外延应变的Si或高Ge组分SiGe做为沟道材料层，然后再通过工艺诱生的方法引入增大的应力，进一步提高材料的应变程度。

2、根据权利要求1所述的增强MOS器件沟道区应变的方法，其特征是还包括下列步骤：在体硅衬底上外延的SiGe层作为沟道层，在SiGe沟道层上面淀积栅介质，在栅介质上面再淀积金属栅，在金属栅上面再淀积一层带有压应力的氮化硅Si₃N₄。

3、根据权利要求2所述的增强MOS器件沟道区应变的方法，其特征是：在SiGe沟道层上面利用ALD淀积一层High-k介质做为栅介质。

4、根据权利要求1所述的增强MOS器件沟道区应变的方法，其特征是还包括下列步骤：在体硅衬底上直接外延的SiGe层作为沟道层，在SiGe沟道层上面淀积栅介质，在栅介质上面再淀积金属栅，再利用源漏刻蚀的方法去除源漏区的SiGe层，然后在源漏区生长出Ge含量更高的锗硅层。

5、根据权利要求4所述的增强MOS器件沟道区应变的方法，其特征是：在SiGe沟道层上面利用ALD淀积一层High-k介质做为栅介质。

6、根据权利要求1所述的增强MOS器件沟道区应变的方法，其特征是：利用键合方法在绝缘层上得到一层弛豫的SiGe层作为虚拟衬底，然后在上面定义光刻出一定的区域，外延生长出Ge含量更高的压应变的SiGe层作为PMOS管区，在其它的区域淀积一层拉应变的Si层作为NMOS管的区域，两个区域间利用STI做隔离，在两个区域分别制作出PMOS管和NMOS管，接着在PMOS管上淀积一层带有压应力的Si₃N₄薄膜在沟道区引入更大的压应力，在NMOS管上淀积一层带有拉应力的Si₃N₄薄膜在NMOS沟道区引入更大的拉应力，以其同时得到高性能的PMOS管和NMOS管。

7、根据权利要求1所述的增强MOS器件沟道区应变的方法，其特征是：利用键合方法在绝缘层上得到一层弛豫的SiGe层作为虚拟衬底，然后在上面定义光刻出一定的区域，外延生长出Ge含量更高的压应变的SiGe层作为PMOS管区，在其它的区域淀积一层拉应变的Si层作为NMOS管的区域，两个区域间利用STI做隔离，在两个区域分别制作出PMOS管和NMOS管，接着在NMOS管上淀积一层带有拉应力的Si₃N₄薄膜在NMOS沟道区引入更大的拉应力；在PMOS管区可是掉PMOS管的源漏，然后在源漏外延生长更高Ge含量的SiGe，挤压沟道得到更大的压应力，同时得到高性能的PMOS管和NMOS管。