[发明专利]一种在透射电子显微镜中原位测量纳电子器件性质的样品台系统无效
| 申请号： | 200810055675.0 | 申请日： | 2008-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101275895A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 刘开辉;白雪冬;王恩哥 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G01N13/10 | 分类号： | G01N13/10;G01R31/00 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在透射电子显微镜中原位测量纳电子器件性质的样品台系统，包括主要由半导体芯片和芯片载台组成的样品台前端头、中空的样品杆、以及设置在样品杆末端的绝缘穿通。其中，半导体芯片上的电极由经过中空样品杆的导线电连接到所述绝缘穿通的外连接导线上，并进一步连接到外接分析测试仪器上，从而可以对纳电子器件的性质进行研究。精确的尺寸设计保证TEM电子束能依次正常通过半导体芯片的狭缝和芯片载台的通孔，并聚焦在芯片狭缝上表面的纳电子器件上，从而可以直接对纳电子器件的微观结构进行表征。这样在TEM中实现了对纳电子器件的性质和微观结构的原位研究。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透射 电子显微镜 原位 测量 电子器件 性质 样品 系统 | ||
【主权项】：
1、一种在透射电子显微镜中原位测量纳电子器件性质的样品台系统，包括主要由半导体芯片和芯片载台组成的样品台前端头、中空的样品杆、以及设置在样品杆末端的绝缘穿通，其中，半导体芯片上的电极由经过中空样品杆的导线电连接到所述绝缘穿通的外连接导线上。
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