[发明专利]一种在透射电子显微镜中原位测量纳电子器件性质的样品台系统

权利要求书

1、一种在透射电子显微镜中原位测量纳电子器件性质的样品台系统，包括主要由半导体芯片和芯片载台组成的样品台前端头、中空的样品杆、以及设置在样品杆末端的绝缘穿通，其中，半导体芯片上的电极由经过中空样品杆的导线电连接到所述绝缘穿通的外连接导线上。

2、如权利要求1所述的样品台系统，其特征在于，所述芯片载台具有设置于样品测试区域的槽和槽内供电子束通过的通孔；所述芯片含有1个或多个狭缝；芯片设置在芯片载台的槽内，芯片厚度与芯片载台的槽深度和TEM电子束聚焦中心位置相匹配，使TEM电子束可以正常通过芯片狭缝和芯片载台通孔并聚焦在横跨芯片狭缝的纳电子器件上。

3、如权利要求2所述的样品台系统，其特征在于，所述芯片载台的边缘和中部带有供连接芯片电极用的导线通过的边缘槽和中间槽。

4、如权利要求1-3任一项所述的样品台系统，其特征在于，所述芯片材料为半导体材料，可以是硅、锗、氮化镓、砷化镓、磷化铟、氧化锌。

5、如权利要求2所述的样品台系统，其特征在于，所述芯片的上表面和狭缝表面含有介电层，所述介电层的材料为二氧化硅、碳化硅、氮化硅、氧化铪。

6、如权利要求1-3任一项所述的样品台系统，其特征在于，所述芯片的狭缝两侧设置有微电极，用于与横跨狭缝的纳米材料进行电接触，微电极设置在纳米材料上方或者设置在纳米材料的下方，微电极材料为Rh，Pd，Rh/Au，Pd/Au，Ti/Au，W/Pt，Cr/Pt，Ni/Pt。

7、如权利要求1-3任一项所述的样品台系统，其特征在于，所述样品台的样品杆为中空的样品杆，供导线通过。

8、如权利要求1-3任一项所述的样品台系统，其特征在于，所述绝缘穿通为真空密封结构，并带有多路可与外部连通且相互绝缘的外连接导线。

9、如权利要求1-3任一项所述的样品台系统，其特征在于，所述导线一端与纳电子器件的电极连接，另一端与所述绝缘穿通的外连接导线连接。

10、一种如权利要求1-9任一项所述的样品台系统的用途，用于原位研究纳电子器件微观结构和性质的关系，或者用于原位地、动态地研究在外加电信号下，纳米材料、普通材料的压电、铁电、离子型导电引起的微观结构的变化。