[发明专利]一种用于铜互连的导电阻挡层材料及制备方法无效
| 申请号： | 200810054756.9 | 申请日： | 2008-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101286496A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 刘保亭;马良;邢金柱;霍骥川;边芳;赵庆勋;郭庆林;王英龙 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;C23C14/00;C23C14/56;C23C14/35;C23C14/54;C23C14/02;C23C14/58 |
| 代理公司： | 石家庄汇科专利商标事务所 | 代理人： | 王琪 |
| 地址： | 071002河*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于铜互连的导电阻挡层材料，由硅衬底、导电阻挡层组成，其特征在于：导电阻挡层材料是采用磁控溅射法在硅衬底基体上生长非晶态Ti－Al二元合金薄膜，然后在Ti－Al二元合金薄膜上原位生长Cu薄膜制成。本发明利用Ti－Al材料同Si和Cu具有良好的热力学稳定性；非晶的Ti－Al薄膜不存在扩散通道，可以有效避免Cu生长过程中向硅衬底的扩散；Ti－Al薄膜具有成本低、热力学稳定性好、同Si衬底粘附性好、导电性良好、熔点高等特点。研究发现应用磁控溅射法制备的非晶态的Ti－Al薄膜可以避免Cu和Si在高温退火时发生反应，起到用于铜互连的阻挡层的功能。本发明易于控制、设备要求低、可以与半导体工艺兼容，广泛应用于微电子领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 互连 导电 阻挡 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于铜互连的导电阻挡层材料，由硅衬底、导电阻挡层组成，其特征在于：导电阻挡层材料是采用磁控溅射法在硅衬底基体上生长非晶态Ti-Al二元合金薄膜，然后在Ti-Al二元合金薄膜原位生长Cu薄膜料制成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北大学，未经河北大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810054756.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
