[发明专利]NixMg1-xO短波长紫外光探测材料

摘要

Ni_xMg_1-xO短波长紫外光探测材料属于半导体材料技术领域。现有Ga_xAl_1-xN材料存在的不足有，首先，制作薄膜所使用的蓝宝石衬底昂贵；其次，需要使用化学气相沉积等大型、复杂设备生长，生长温度也较高，造成了能源的浪费；第三，禁带宽度调节范围较小，即3.4～6.2eV；第四，GaN和AlN晶格失配和离子半径失配较大，分别为1.8％和15％。本发明之短波长紫外光探测材料的分子式为Ni_xMg_1-xO，0≤X≤1。以石英玻璃为衬底在磁控溅射设备中制作Ni_xMg_1-xO短波长紫外光探测薄膜，所制备的薄膜晶格失配和离子半径失配很小，分别为0.7％和5.7％，禁带宽度为3.6～7.8eV。用来制作短波长紫外光探测器件。

主权项

1、一种NixMg1-xO短波长紫外光探测材料，其特征在于，分子式为NixMg1-xO，0≤X≤1。