[发明专利]制备单一立方相结构的MgxZn1－xO半导体合金体材料的方法无效
| 申请号： | 200810050790.9 | 申请日： | 2008-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101285147A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 秦杰明;张吉英;姚斌;申德振;赵东旭;张振中;李炳辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | C22C29/12 | 分类号： | C22C29/12;C22C1/04;B22F3/14 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 | 代理人： | 赵炳仁 |
| 地址： | 130033吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及制备MgxZn1－xO半导体合金体材料的方法，特别是一种制备单一立方相结构的MgxZn1－xO半导体合金体材料的方法。将按摩尔比为MgO：0.32～0.61，ZnO：0.68～0.39的MgO和ZnO粉体混合料在压力为4～6GPa、温度为1600～2000℃的条件下热压烧结制得MgxZn1－xO半导体合金体材料，该材料具有单一的立方相结构，禁带宽度在3.5～5.5eV范围内。本方法提供了适于规模化生产MgxZn1－xO(0.32＜X＜0.61)半导体合金体材料的的技术手段。为光电器件制造技术领域提供了特别适用的优质新材料，进而为紫外探测器器件的制备及实现奠定了物质基础。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 单一 立方 结构 mg sub zn 半导体 合金 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备单一立方相结构的MgxZn1-xO半导体合金体材料的方法，以粉体MgO和粉体ZnO作原料，其特征在于包括以下步骤：a.将粉体MgO和ZnO按摩尔比为MgO＝0.32～0.61、ZnO＝0.68～0.39的配比量均匀混合；b.将上述MgO和ZnO粉体混合料在压力为4～6GPa、温度为1600～2000℃的条件下热压烧结即制得所述的MgxZn1-xO半导体合金体材料。
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