[发明专利]n型硅光辅助电化学腐蚀装置无效
| 申请号： | 200810050598.X | 申请日： | 2008-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN101285209A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 王国政;李野;端木庆铎 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | C25F3/12 | 分类号： | C25F3/12 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人： | 马守忠 |
| 地址： | 130022吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | n型硅光辅助电化学腐蚀装置属于硅微细加工技术领域。已知技术采用卤素灯为光源，采用滤光片滤除大于800nm的光辐射。该方案导致光激发效率大大降低，并且，无法通过采用波长较长的光激发的同时，精密控制光源实现高效率激发及避免有害激发。再有，其光源能耗大，发热量也大，体积大。本发明采用发光二极管(LED)或者半导体激光器(LD)为光源，发射波长在700nm～1100nm之间，光源的电源功率在0.1W～100W之间。全面克服了已知技术存在的不足。可应用于在n型硅片上刻蚀具有较大长径比的微通道。 | ||
| 搜索关键词： | 型硅光 辅助 电化学 腐蚀 装置 | ||
【主权项】：
1、一种n型硅光辅助电化学腐蚀装置，由电化学池(1)、工作电极(5)、参考电极(6)、辅助电极(7)以及光源(8)组成；在电化学池(1)中盛有腐蚀液(2)；在电化学池(1)的侧壁上开孔，硅片(3)贴附于开孔处；工作电极(5)与硅片(3)的欧姆接触层(4)接触，参考电极(6)、辅助电极(7)置于腐蚀液(2)中，辅助电极(7)与硅片(3)相对，参考电极(6)位于辅助电极(7)与硅片(3)之间；光源(8)照射硅片(3)的欧姆接触层(4)一侧，其特征在于，光源(8)采用发光二极管或者半导体激光器，发射波长在700nm～1100nm之间。
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