[发明专利]n型硅光辅助电化学腐蚀装置

权利要求书

1、一种n型硅光辅助电化学腐蚀装置，由电化学池(1)、工作电极(5)、参考电极(6)、辅助电极(7)以及光源(8)组成；在电化学池(1)中盛有腐蚀液(2)；在电化学池(1)的侧壁上开孔，硅片(3)贴附于开孔处；工作电极(5)与硅片(3)的欧姆接触层(4)接触，参考电极(6)、辅助电极(7)置于腐蚀液(2)中，辅助电极(7)与硅片(3)相对，参考电极(6)位于辅助电极(7)与硅片(3)之间；光源(8)照射硅片(3)的欧姆接触层(4)一侧，其特征在于，光源(8)采用发光二极管或者半导体激光器，发射波长在700nm～1100nm之间。

2、根据权利要求1所述的光辅助电化学腐蚀装置，其特征在于，光源(8)采用发光二极管时，指的是单管发光二极管或者发光二极管面阵；光源(8)采用半导体激光器时，指的是单管半导体激光器或者半导体激光器列阵。

3、根据权利要求1、2所述的光辅助电化学腐蚀装置，其特征在于，光源(8)的电源功率在0.1W～100W之间。