[发明专利]一种阳极短路的隧道泵IGBT无效
| 申请号： | 200810046417.6 | 申请日： | 2008-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN101393928A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;谢刚;廖忠平;马俊;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种阳极短路的隧道泵IGBT，属于半导体功率器件技术领域。本发明是在传统IGBT中同时引入阳极短路结构和隧道泵结构，或是在单纯的阳极短路的IGBT中引入隧道泵结构，或是在单纯的隧道泵的IGBT中引入阳极短路结构，使得本发明所述的阳极短路的隧道泵IGBT兼具阳极短路IGBT和隧道泵IGBT的优点，即在提高器件的关断特性的同时具有较低的导通压降。本发明可以很好折衷正向饱和压降与关断时间之间的矛盾，且优化器件的导通特性，更适用于高压大电流高频率的应用环境。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阳极 短路 隧道 igbt | ||
【主权项】：
1、一种阳极短路的隧道泵IGBT，包括栅极(1)、隔离介质(2)、发射极(3)、N+源区(4)、P型基区(5)、N-漂移区(6)和集电极(11)；其特征在于，它还包括一个阳极短路结构层和一个隧道泵结构层；所述阳极短路结构层由一个P+区(9)和第一N+区(10)在横向并排而成；所述隧道泵结构层由第二N+区(8)和围绕第二N+区(8)的P型区(7)构成；所述阳极短路结构层位于集电极(11)和所述隧道泵结构层之间，所述隧道泵结构层位于所述阳极短路结构层和N-漂移区(6)之间；所述第二N+区(8)与P+区(9)之间形成一个隧道结。
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