[发明专利]一种阳极短路的隧道泵IGBT

权利要求书

1、一种阳极短路的隧道泵IGBT，包括栅极(1)、隔离介质(2)、发射极(3)、N⁺源区(4)、P型基区(5)、N^-漂移区(6)和集电极(11)；其特征在于，它还包括一个阳极短路结构层和一个隧道泵结构层；所述阳极短路结构层由一个P⁺区(9)和第一N⁺区(10)在横向并排而成；所述隧道泵结构层由第二N⁺区(8)和围绕第二N⁺区(8)的P型区(7)构成；所述阳极短路结构层位于集电极(11)和所述隧道泵结构层之间，所述隧道泵结构层位于所述阳极短路结构层和N^-漂移区(6)之间；所述第二N⁺区(8)与P+区(9)之间形成一个隧道结。

2、根据权利要求1所述的阳极短路的隧道泵IGBT，其特征在于，所述第二N⁺(8)区和四周的P型区(7)区在垂直于电流方向上的面积之比定义为K，K取值范围为0.05～0.5之间。

3、根据权利要求1所述的阳极短路的隧道泵IGBT，其特征在于，所述第一N⁺区(10)的形状为任意形状。

4、根据权利要求1所述的阳极短路的隧道泵IGBT，其特征在于，所述第一N⁺区(10)的形状为方形、矩形或圆形以及非规则图形。

5、根据权利要求1所述的阳极短路的隧道泵IGBT，其特征在于，所述第二N⁺区(8)的形状为规则或非规则形状。

6、根据权利要求1所述的阳极短路的隧道泵IGBT，其特征在于，所述隧道泵结构层是通过N^-单晶的一抛光面上由离子注入或杂质扩散的方式形成的。

7、根据权利要求1所述的阳极短路的隧道泵IGBT，其特征在于，所述阳极短路结构层是在P⁺衬底上进行离子注入形成的。