[发明专利]自对准叠加双层多晶硅栅结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种自对准叠加双层多晶硅栅结构的制备方法，在传统SASG制备工艺的基础上，增加了淀积ONO薄膜(7)之前先淀积一层氧化硅(11)、再反刻该层氧化硅(11)的步骤。从而在写入栅极隔离区(911)的一周边缘形成一周具有倾斜侧壁的氧化硅侧墙残留(111)。该氧化硅侧墙残留(111)可以帮助ONO薄膜(7)在此处形成一周也具有倾斜侧壁的侧墙(73)，从而有利于SASG结构制备过程中尽可能完全地去除ONO薄膜(7)的残留。最终即使有部分氧化硅残留(112)和/或ONO薄膜残留(74)，由于是落在同是氧化硅的STI结构(2)上，也不会构成缺陷。

主权项

一种自对准叠加双层多晶硅栅结构的制备方法，硅片的有源区(1)之间具有浅槽隔离结构(2)，硅片上生长有栅氧化层(3)，栅氧化层(3)上淀积有多晶硅(4)，其特征是：所述方法包括如下步骤：第1步，在多晶硅(4)上涂光刻胶(6)，曝光显影后露出刻蚀窗口(100)，保留其余区域的光刻胶(6)；第2步，在刻蚀窗口(100)刻蚀多晶硅(4)直至露出浅槽隔离结构(2)，形成写入栅极隔离区(911)，去除光刻胶(6)；第3步，在硅片表面淀积氧化硅(11)；第4步，反刻该层氧化硅(11)直至该层氧化硅(11)的底部被完全刻蚀掉；第5步，在硅片表面淀积ONO薄膜(7)；第6步，在硅片表面淀积多晶硅(8)；第7步，在多晶硅(8)上涂光刻胶(10)，曝光显影后露出刻蚀窗口(200)，保留其余区域的光刻胶(10)；第8步，在刻蚀窗口(200)刻蚀多晶硅(8)、ONO薄膜(7)和残留的氧化硅(111)直至ONO薄膜(7)的底部被完全刻蚀掉，去除光刻胶(10)。