[发明专利]在SONOS技术中提升金属接触孔工艺窗口的方法无效
| 申请号： | 200810043939.0 | 申请日： | 2008-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN101740465A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 王函 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种在SONOS技术中提升金属接触孔工艺窗口的方法，用磷酸玻璃和未搀杂氧化膜作为接触孔层间膜，包括以下步骤：步骤一、在硅片上淀积一层未搀杂氧化膜；步骤二、淀积一层磷酸玻璃后进行化学机械抛光；步骤三、淀积一层氧化膜，达到层间膜厚度；步骤四、利用光刻做出接触孔的图形；步骤五、利用磷酸玻璃对未搀杂氧化膜的选择比50∶1以上的干法工艺刻蚀接触孔。可以省略掉传统工艺所需的氮化膜(SiN)或者氮氧化膜(SiON)阻挡层的方法，从而在根本上消灭了齿状穿通结构产生的隐患。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 技术 提升 金属 接触 工艺 窗口 方法 | ||
【主权项】：
一种在SONOS技术中提升金属接触孔工艺窗口的方法，其特征在于，用磷酸玻璃和未搀杂氧化膜作为接触孔层间膜，包括以下步骤：步骤一、在硅片上淀积一层未搀杂氧化膜；步骤二、淀积一层磷酸玻璃后进行化学机械抛光；步骤三、淀积一层氧化膜，达到层间膜厚度；步骤四、利用光刻做出接触孔的图形；步骤五、利用磷酸玻璃对未搀杂氧化膜的选择比50∶1以上的干法工艺刻蚀接触孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810043939.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：身体护理设备及其处理头
- 下一篇：心脏按摩器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
