[发明专利]在SONOS技术中提升金属接触孔工艺窗口的方法无效
| 申请号： | 200810043939.0 | 申请日： | 2008-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN101740465A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 王函 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sonos 技术 提升 金属 接触 工艺 窗口 方法 | ||
1.一种在SONOS技术中提升金属接触孔工艺窗口的方法，其特征在于，用磷酸玻璃和未搀杂氧化膜作为接触孔层间膜，包括以下步骤：
步骤一、在硅片上淀积一层未搀杂氧化膜；
步骤二、淀积一层磷酸玻璃后进行化学机械抛光；
步骤三、淀积一层氧化膜，达到层间膜厚度；
步骤四、利用光刻做出接触孔的图形；
步骤五、利用磷酸玻璃对未搀杂氧化膜的选择比50∶1以上的干法工艺刻蚀接触孔。
2.根据权利要求1所述的在SONOS技术中提升金属接触孔工艺窗口的方法，其特征在于，所述未搀杂氧化膜层间膜介质，通过腔体淀积或是扩散炉生成获得的未搀杂氧化膜。
3.根据权利要求1所述的在SONOS技术中提升金属接触孔工艺窗口的方法，其特征在于，所述磷酸玻璃通过薄膜淀积方法获得。
4.根据权利要求1所述的在SONOS技术中提升金属接触孔工艺窗口的方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺关键特征主刻蚀具有磷酸玻璃对未搀杂氧化膜的高选择比，其主要工艺参数为：
(1)上部电源功率：0～2000w；
(2)偏转功率：0～2000w；
(3)压力：0～200mT；
(4)氩气：0～500sccm；
(5)氧气：0～500sccm；
(6)具有高选择比的碳氟系气体0～500sccm；
(7)具有高选择比的碳氟氢系气体0～500sccm；
(8)静电吸附盘背部氦气压力0～20T。
5.根据权利要求1所述的在SONOS技术中提升金属接触孔工艺窗口的方法，其特征在于，所述高选择比的碳氟系气体包括C4F8或C4F6或C5F8。
6.根据权利要求1所述的在SONOS技术中提升金属接触孔工艺窗口的方法，其特征在于，所述具有高选择比的碳氟氢系气体包括F135。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
