[发明专利]T型金属栅极的MOS晶体管制作工艺方法

摘要

本发明公开了一种T型金属栅极的MOS晶体管制作工艺方法，包括如下步骤：第1步，淀积一多晶硅层；第2步，刻蚀出T型多晶硅栅极；第3步，在T型多晶硅栅极四周形成氧化硅层；第4步，光刻形成源区、漏区，对源区、漏区进行轻掺杂漏注入；第5步，形成侧墙，在源区、漏区进行源/漏注入形成源极和漏极；第6步，在源极和漏极之上制作一金属硅化物层；第7步，淀积一金属前电介质层；第8步，化学机械研磨金属前电介质层；第9步，刻蚀形成T型孔洞；第10步，向T型孔洞中填充金属形成T型金属栅极。本发明制作的T型金属栅极，缩小了栅极底部线宽尺寸，减小了源极和漏极之间的实际沟道长度，满足了MOS晶体管日益提高的开启速度需求。

主权项

1.一种T型金属栅极的MOS晶体管制作工艺方法，所述方法应用于硅衬底的两个浅沟槽隔离区之间，所述硅衬底之上具有一氧化硅层，其特征是：所述方法包括如下步骤：第1步，在所述氧化硅层之上淀积一多晶硅层；第2步，刻蚀所述多晶硅层与氧化硅层，刻蚀出T型多晶硅栅极，仅保留所述T型多晶硅栅极的下底面与硅衬底之间的氧化硅层；第3步，在所述硅衬底之上和所述T型多晶硅栅极四周形成氧化硅层，所形成的氧化硅层与第2步保留的氧化硅层融为一体，所述融为一体的氧化硅层作为所述T型多晶硅栅极的衬垫层；第4步，在所述T型多晶硅栅极两侧的硅衬底先进行光刻形成源区、漏区，再对源区、漏区进行轻掺杂漏注入；第5步，在所述T型多晶硅栅极两侧的氧化硅层之外形成侧墙，在所述侧墙之外的源区、漏区进行源/漏注入形成所述MOS晶体管的源极和漏极；第6步，在所述侧墙之外的所述源极和漏极之上制作一金属硅化物层；第7步，在所述源极、漏极、侧墙和T型多晶硅栅极之上的氧化硅层之上淀积一金属前电介质层；第8步，化学机械研磨所述金属前电介质层和所述T型多晶硅栅极之上的氧化硅层，直至露出所述T型多晶硅栅极为止；第9步，刻蚀去除所述T型多晶硅栅极形成一T型孔洞；第10步，向所述T型孔洞中填充金属形成所述MOS晶体管的T型金属栅极。