[发明专利]T型金属栅极的MOS晶体管制作工艺方法有效
| 申请号： | 200810043723.4 | 申请日： | 2008-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101656212A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 陈福成;朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 平 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 mos 晶体管 制作 工艺 方法 | ||
1.一种T型金属栅极的MOS晶体管制作工艺方法，所述方法应用于硅衬底的两个浅沟槽隔离区之间，所述硅衬底之上具有一氧化硅层，其特征是：所述方法包括如下步骤：
第1步，在所述氧化硅层之上淀积一多晶硅层；
第2步，刻蚀所述多晶硅层与氧化硅层，刻蚀出T型多晶硅栅极，仅保留所述T型多晶硅栅极的下底面与硅衬底之间的氧化硅层；
第3步，在所述硅衬底之上和所述T型多晶硅栅极四周形成氧化硅层，所形成的氧化硅层与第2步保留的氧化硅层融为一体，所述融为一体的氧化硅层作为所述T型多晶硅栅极的衬垫层；
所述衬垫层在所述硅衬底之上和所述T型多晶硅栅极四周；
第4步，在所述T型多晶硅栅极两侧的硅衬底先进行光刻形成源区、漏区，再对源区、漏区进行轻掺杂漏注入；
第5步，在所述T型多晶硅栅极两侧的氧化硅层之外形成侧墙，在所述侧墙之外的源区、漏区进行源/漏注入形成所述MOS晶体管的源极和漏极；
所述侧墙在所述T型多晶硅栅极两侧的衬垫层之外；
第6步，在所述侧墙之外的所述源极和漏极之上制作一金属硅化物层；
第7步，在所述源极、漏极、侧墙和T型多晶硅栅极之上的氧化硅层之上淀积一金属前电介质层；
所述金属前电介质层在所述硅片的整个表面；
第8步，化学机械研磨所述金属前电介质层和所述T型多晶硅栅极之上的氧化硅层，直至露出所述T型多晶硅栅极为止；
第9步，刻蚀去除所述T型多晶硅栅极形成一T型孔洞；
第10步，向所述T型孔洞中填充金属形成所述MOS晶体管的T型金属栅极。
2.根据权利要求1所述的T型金属栅极的MOS晶体管制作工艺方法，其特征是：所述方法的第7步中，所述金属前电介质层在所述T型多晶硅栅极之上的氧化硅层之上的高度为1000至
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
