[发明专利]高总压力气压式浮动装置无效
申请号: | 200810043701.8 | 申请日: | 2008-08-12 |
公开(公告)号: | CN101651083A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | 高宏典 | 申请(专利权)人: | 中茂电子(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/66;G01R1/04 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 518054广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种高总压力气压式浮动装置,设置于具有预定尺寸基准面的基座,且可随基座与一个作用面相对移动,并接受来自供气装置的预定气压,该浮动装置包含:组装于基座的中空壳体、与基准面及中空壳体构成气室的活塞件、第一缓冲件、第二缓冲件,及位于第二缓冲件远离第一缓冲件侧面、组装至第一缓冲件的外盖。本发明浮动装置藉由将活塞件的受气压面设计为最大,提供最大下压能量;另外,第二缓冲件与活塞件的连结、第一缓冲件与外盖的连结提供变位功能;第二弹性回复件、挡止件与第一弹性回复件可使变位后的各构件关系迅速归回原始位置,有效却简洁的结构,大幅提升现有产品性能。 | ||
搜索关键词: | 压力 气压 浮动 装置 | ||
【主权项】:
1.一种高总压力气压式浮动装置,设置于具有预定尺寸基准面的基座,且可随基座与一个作用面相对移动,并接受来自供气装置的预定气压,其特征是,该浮动装置包含:组装于基座的中空壳体、与基准面及中空壳体构成气室的活塞件、第一缓冲件、第二缓冲件,及位于第二缓冲件远离第一缓冲件侧面、组装至第一缓冲件的外盖,其中:中空壳体包括与基准面相间隔且形成有穿孔的底壁,及延伸自该底壁并具有对应基准面预定尺寸的截面、且气密接合于基准面的环绕侧壁;活塞件包括活塞本体和由活塞本体朝向远离基准面、对应中空壳体穿孔延伸的凸伸部,活塞本体位于基准面与中空壳体之间、具有面向基准面且面积对应于环绕侧壁截面的受气压面、并在远离基准面的原始位置及接近基准面的受压位置之间而沿该两位置的联机轴向移动;第二缓冲件组装于活塞件远离基座侧、受活塞件凸伸部抵靠、并轴向固定至活塞件;第一缓冲件位于活塞件与第二缓冲件之间、并以沿着与轴向夹一角度的侧方向与第二缓冲件可相对移动地结合至第二缓冲件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造