[发明专利]凸点下金属层、晶圆级芯片尺寸封装结构及形成方法无效
| 申请号： | 200810041382.7 | 申请日： | 2008-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN101645407A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 丁万春;孟津 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种凸点下金属层的形成方法，包括：在芯片上形成金属垫层和用以保护芯片表面并将金属垫层暴露的钝化层；在钝化层和金属垫层上依次形成第一金属层和光刻胶层后，在光刻胶层上形成开口，所述开口曝露出金属垫层上第一金属层；在开口内，第一金属层上依次形成第二金属层，所述第二金属层包含焊料层；去除光刻胶后，刻蚀第一金属层至露出钝化层，刻蚀后的第一金属层与第二金属层构成凸点下金属层。本发明还提供一种凸点下金属层、晶圆级芯片尺寸封装结构及形成方法。本发明提高了膜层的电性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 凸点下 金属 晶圆级 芯片 尺寸 封装 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种凸点下金属层的形成方法，其特征在于，包括：在芯片上形成金属垫层和用以保护芯片表面并将金属垫层暴露的钝化层；在钝化层和金属垫层上依次形成第一金属层和光刻胶层后，在光刻胶层上形成开口，所述开口曝露出金属垫层上第一金属层；在开口内，第一金属层上依次形成第二金属层，所述第二金属层包含焊料层和位于焊料层下的导电层；去除光刻胶后，刻蚀第一金属层至露出钝化层，刻蚀后的第一金属层与第二金属层构成凸点下金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
