[发明专利]凸点下金属层、晶圆级芯片尺寸封装结构及形成方法

权利要求书

1.一种凸点下金属层的形成方法，其特征在于，包括：

在芯片上形成金属垫层和用以保护芯片表面并将金属垫层暴露的钝化层；

在钝化层和金属垫层上依次形成第一金属层和光刻胶层后，在光刻胶层上形成开口，所述开口曝露出金属垫层上第一金属层；

在开口内，第一金属层上依次形成第二金属层，所述第二金属层包含焊料层和位于焊料层下的导电层；

去除光刻胶后，刻蚀第一金属层至露出钝化层，刻蚀后的第一金属层与第二金属层构成凸点下金属层。

2.根据权利要求1所述的凸点下金属层的形成方法，其特征在于，所述焊料层的厚度为2μm～10μm。

3.根据权利要求2所述的凸点下金属层的形成方法，其特征在于，形成焊料层的方法为电镀法。

4.根据权利要求1所述的凸点下金属层的形成方法，其特征在于，所述导电层可以是铜、镍或其组合。

5.根据权利要求4所述的凸点下金属层的形成方法，其特征在于，所述导电层的厚度为1μm～20μm。

6.根据权利要求5所述的凸点下金属层的形成方法，其特征在于，形成导电层的方法为电镀法。

7.一种凸点下金属层，包括：芯片上的金属垫层和用以保护芯片表面并将金属垫层暴露的钝化层，位于金属垫层上的第一金属层，位于第一金属层上的第二金属层，第二金属层包含导电层，其特征在于，所述第二金属层还包含位于导电层上的焊料层。

8.根据权利要求7所述的凸点下金属层，其特征在于，所述焊料层的厚度为2μm～10μm。

9.根据权利要求7所述的凸点下金属层，其特征在于，所述导电层可以是铜、镍或其组合。

10.根据权利要求7所述的凸点下金属层，其特征在于，所述导电层的厚度为1μm～20μm。

11.一种晶圆级芯片尺寸封装结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供具有至少一个芯片的晶圆，所述芯片上形成有金属垫层和用以保护芯片表面并将金属垫层暴露的钝化层；

在钝化层和金属垫层上依次形成第一金属层和光刻胶层后，在光刻胶层上形成开口，所述开口曝露出金属垫层上第一金属层；

在开口内，第一金属层上形成第二金属层，所述第二金属层包含焊料层和位于焊料层下的导电层；

去除光刻胶后，刻蚀第一金属层至露出钝化层，刻蚀后的第一金属层与第二金属层构成凸点下金属层；

在凸点下金属层上形成助焊剂后，在其上放置焊料球；

回流焊料球，形成凸点；

将晶圆切割为至少一个芯片，完成晶圆级芯片尺寸封装。

12.根据权利要求11所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的形成方法，其特征在于，所述焊料层的厚度为2μm～10μm。

13.根据权利要求12所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的形成方法，其特征在于，所述焊料层的材料与凸点的材料一致。

14.根据权利要求13所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的形成方法，其特征在于，形成焊料层的方法为电镀法。

15.根据权利要求11所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的形成方法，其特征在于，所述导电层可以是铜、镍或其组合。

16.根据权利要求15所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的形成方法，其特征在于，所述导电层的厚度为1μm～20μm。

17.根据权利要求16所述的晶圆级芯片尺寸封装结构的形成方法，其特征在于，形成导电层的方法为电镀法。

18.一种晶圆级芯片尺寸封装结构，包括：具有至少一个芯片的晶圆；芯片上形成有金属垫层和用以保护芯片表面并将金属垫层暴露的钝化层；位于金属垫层上的凸点下金属层，所述凸点下金属层包括第一金属层和位于第一金属层上的第二金属层，第二金属层包含导电层；位于凸点下金属层上的凸点，其特征在于，所述第二金属层还包含位于导电层上的焊料层。

19.根据权利要求18所述的晶圆级芯片尺寸封装结构，其特征在于，所述焊料层的厚度为2μm～10μm。