[发明专利]形成接触孔及双镶嵌结构的方法有效
| 申请号： | 200810040566.1 | 申请日： | 2008-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101630656A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种形成接触孔的方法，包括下列步骤：提供依次形成有金属层、层间绝缘层及阻挡层的半导体衬底；刻蚀阻挡层和层间绝缘层至露出金属层，形成接触孔；通入气体，将曝露后被氧化的金属层表面进行还原。本发明还提供了形成双镶嵌结构的方法。本发明提高了金属层与后续金属物质接触的有效性，进而提高了半导体器件的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 接触 镶嵌 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成接触孔的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供依次形成有金属层、层间绝缘层及阻挡层的半导体衬底；刻蚀阻挡层和层间绝缘层至露出金属层，形成接触孔；通入气体，将曝露后被氧化的金属层表面进行还原。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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