[发明专利]形成接触孔及双镶嵌结构的方法有效
| 申请号： | 200810040566.1 | 申请日： | 2008-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101630656A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 接触 镶嵌 结构 方法 | ||
1.一种形成接触孔的方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供依次形成有金属层、层间绝缘层及阻挡层的半导体衬底；
刻蚀阻挡层和层间绝缘层至露出金属层，形成接触孔；
通入流量为90sccm～150sccm氢气，将曝露后被氧化的金属层表面进行还 原。
2.根据权利要求1所述形成接触孔的方法，其特征在于，所述通入氢气所需 的压强为80毫托～150毫托。
3.根据权利要求2所述形成接触孔的方法，其特征在于，所述通入氢气所需 的功率为1200W～1800W。
4.一种形成双镶嵌结构的方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供依次形成有金属层、覆盖层、层间绝缘层、阻挡层的半导体衬底；
刻蚀阻挡层、层间绝缘层至露出覆盖层，形成接触孔；
在接触孔内以及阻挡层上形成底部抗反射层；
刻蚀底部抗反射层，直至阻挡层上的底部抗反射层被完全去除，接触孔内 的底部抗反射层的厚度能在后续刻蚀过程中保护金属层；
刻蚀阻挡层和层间绝缘层，形成沟槽，所述沟槽的位置与接触孔的位置对 应并连通；
去除接触孔内的底部抗反射层后，刻蚀覆盖层至露出金属层，形成双镶嵌 结构；
通入气体，将曝露后被氧化的金属层表面进行还原。
5.根据权利要求4所述形成双镶嵌结构的方法，其特征在于，所述通入的气 体为氢气。
6.根据权利要求5所述形成双镶嵌结构的方法，其特征在于，所述氢气的流 量为90sccm～150sccm。
7.根据权利要求6所述形成双镶嵌结构的方法，其特征在于，所述通入氢气 所需的压强为80毫托～150毫托。
8.根据权利要求7所述形成双镶嵌结构的方法，其特征在于，所述通入氢气 所需的功率为1200W～1800W。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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