[发明专利]一种判断MOS器件性能退化的方法有效
| 申请号： | 200810039407.X | 申请日： | 2008-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101303390A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 万星拱 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种判断MOS器件性能退化的方法，它包括以下步骤：1：测试MOS器件不同电压加载时间电学参数的衰退幅度值；2：采用描述硅和氧化硅之间界面态随时间变化的幂指数函数与描述注入电荷在氧化硅中随时间变化的对数函数以及常数项之和作为判断式拟合电学参数衰退幅度值的变化规律；3：得出步骤2中幂指数函数的系数以及指数具体数值和描述注入电荷在氧化硅中变化函数的系数的具体值以及常数项的具体值；4：依据具体判断式来判断测试的MOS器件电学参数随时间变化的衰退量。其中，描述注入电荷在氧化硅中变化的函数为时间对数函数。本发明方法可有效提高对MOS器件性能电学参数衰退幅度变化的判断结果准确性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 判断 mos 器件 性能 退化 方法 | ||
【主权项】：
1、一种判断MOS器件性能退化的方法，所述MOS器件基于硅和二氧化硅材料制作，其特征在于，它包括以下步骤：步骤1：基于JEDEC标准，测试MOS器件不同电压加载时间下MOS器件性能电学参数的衰退幅度值；步骤2：采用描述硅和氧化硅之间界面态随时间变化的幂指数函数与描述注入电荷在氧化硅中随时间变化的函数以及常数项之和作为判断式拟合步骤1测得MOS器件性能电学参数的衰退幅度值随时间变化规律；步骤3：确定步骤2中所述判断式中幂指数函数的系数以及指数具体数值和描述注入电荷在氧化硅中变化函数的系数的具体值以及常数项的具体值；步骤4：依据步骤3得出的测试MOS器件性能电学参数衰退幅度随时间变化的具体判断式来判断MOS器件性能的电学参数随时间变化的衰退量。
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