[发明专利]一种判断MOS器件性能退化的方法

权利要求书

1.一种判断MOS器件性能退化的方法，所述MOS器件基于硅和二氧化硅材料 制作，其特征在于，它包括以下步骤：

步骤1：基于JEDEC标准，测试MOS器件不同电压加载时间下MOS器件的饱 和区漏电流、线性区漏电流和最大跨导的衰退幅度值；

步骤2：采用描述硅和二氧化硅之间界面态随时间变化的幂指数函数与描述注入 电荷在二氧化硅中随时间变化的函数采用时间的自然对数函数以及常数项之和 作为判断式拟合步骤1测得MOS器件的饱和区漏电流、线性区漏电流和最大跨 导的衰退幅度值随时间变化规律；

步骤3：确定步骤2中所述判断式中幂指数函数的系数以及指数具体数值和描述 注入电荷在二氧化硅中变化函数的系统的具体值以及常数项的具体值；

步骤4：依据步骤3得出的测试MOS器件的饱和区漏电流、线性区漏电流和最 大跨导衰退幅度随时间变化的具体判断式来判断MOS器件性能的电学参数随时 间变化的衰退量。