[发明专利]巯基官能化二氧化硅中空微球作为汞离子吸附剂的用途无效
| 申请号： | 200810039202.1 | 申请日： | 2008-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101298036A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 袁俊杰;浦鸿汀;常志宏 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | B01J20/10 | 分类号： | B01J20/10;C02F1/28;C02F1/62;C02F101/20 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20009*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于化工分离技术领域，具体涉及一种巯基官能化中空二氧化硅微球作为汞离子吸附剂的用途。这种功能性中空二氧化硅微球能够高效地吸附溶液中的汞离子，其吸附容量远远高于目前文献所报道其他汞离子吸附剂的吸附容量。这种吸附剂在本实验条件下所得的最高吸附容量为3477mg/g。而且吸附能力在pH值小于7的条件下，对酸值不敏感。对于含汞溶液经该吸附剂吸附后，最高吸附率达99.96％，吸附后的残留溶液浓度远远低于国家的排放标准(0.05mg/L)。而且这种吸附剂具有优异的再生能力。 | ||
| 搜索关键词： | 巯基 官能 二氧化硅 中空 作为 离子 吸附剂 用途 | ||
【主权项】：
1、一种巯基官能化中空二氧化硅微球作为汞离子吸附剂的用途。
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