[发明专利]一种原位氮化制备含六方氮化硼的复合材料的方法无效

专利信息
申请号: 200810037294.X 申请日: 2008-05-12
公开(公告)号: CN101318636A 公开(公告)日: 2008-12-10
发明(设计)人: 王震;董绍明;江东亮 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C01B21/064 分类号: C01B21/064
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 200050上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种制备含六方BN(h-BN)复合材料的方法,更确切地说涉及一种活性填料原位氮化制备含h-BN复合材料的方法。其特征在于通过活性填料硼粉高温(1300℃-1800℃)过程,发生原位氮化反应与有机前驱体的裂解产物或保护气氛之间反应生成h-BN。所提供的方法具有工艺简单,重复性强、成本较低以及制备条件相对温和的优点。
搜索关键词: 一种 原位 氮化 制备 含六方 复合材料 方法
【主权项】:
1、一种原位氮化制备含六方氮化硼的复合材料的方法,其特征在于通过活性填料硼粉在高温过程与有机前驱体的裂解产物或保护气氛之间反应生成h-BN,具体采用下述两种方法中的任一种:方法A(1)将活性填料硼粉、有机前驱体或将活性填料硼粉、有机前驱体和作为惰性填料的陶瓷粉体通过湿法球磨的方式混合成均匀浆料,硼粉质量百分含量为粉体总质量的1-30%,有机前驱体质量百分含量为0-70%;(2)在低真空条件下,将步骤1制备的浆料进行干燥;干燥后的粉体经研磨,过筛后密封保存;(3)将步骤2过筛后的粉体在N2或NH3气氛保护下于1300-1800℃进行高温原位氮化反应,使活性填料与有机前驱体裂解的裂解产物和保护气氛反应生成含h-BN的复合粉体材料;或活性填料直接与N2或NH3气氛发生原位氮化反应生成含h-BN的复合粉体材料;方法B(1)将活性填料硼粉、有机前驱体或将活性填料硼粉、有机前驱体和作为惰性填料的陶瓷粉体通过湿法球磨的方式混合成均匀浆料,硼粉质量百分含量为粉体总质量的1-30%,有机前驱体质量百分含量为0-70%;(2)在低真空条件下,将步骤1制备的浆料进行干燥;干燥后的粉体经研磨,过筛后密封保存;(3)将步骤2的过筛后的粉体,先干压再冷等静压形成坯体;(4)将步骤3形成的坯体,在N2或NH3气氛保护下,于1300-1800℃进行高温原位氮化反应,使活性填料与有机前驱体裂解的产物反应,和/或活性填料与N2或NH3气氛进行反应生成含h-BN的复合块体材料。
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