[发明专利]一种原位氮化制备含六方氮化硼的复合材料的方法无效
| 申请号: | 200810037294.X | 申请日: | 2008-05-12 |
| 公开(公告)号: | CN101318636A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
| 发明(设计)人: | 王震;董绍明;江东亮 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号: | C01B21/064 | 分类号: | C01B21/064 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 200050上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 原位 氮化 制备 含六方 复合材料 方法 | ||
1.一种原位氮化制备含六方氮化硼的复合材料的方法,其特征在于通过活性填料硼粉在高温过程与有机前驱体的裂解产物或保护气氛之间反应生成h-BN,具体采用下述两种方法中的任一种:
方法A
(1)将活性填料硼粉、聚碳硅烷或酚醛树脂;或将活性填料硼粉、聚碳硅烷或酚醛树脂,和作为惰性填料的陶瓷粉体使用汽油或无水乙醇为溶剂通过湿法球磨的方式混合成均匀浆料,硼粉质量百分含量为粉体总质量的1-30%,聚碳硅烷或酚醛树脂的质量百分含量大于0,小于等于70%;
(2)在真空度为10-1-10-2乇的条件下,将步骤1制备的浆料进行干燥;干燥后的粉体经研磨,过筛后密封保存;
(3)将步骤2过筛后的粉体在N2或NH3气氛保护下于1300-1800℃进行高温原位氮化反应,使活性填料与有机前驱体裂解的裂解产物和保护气氛反应生成含h-BN的复合粉体材料;或活性填料直接与N2或NH3气氛发生原位氮化反应生成含h-BN的复合粉体材料;
方法B
(1)将活性填料硼粉、聚碳硅烷或酚醛树脂;或将活性填料硼粉、聚碳硅烷或酚醛树脂,和作为惰性填料的陶瓷粉体使用汽油或无水乙醇为溶剂通过湿法球磨的方式混合成均匀浆料,硼粉质量百分含量为粉体总质量的1-30%,聚碳硅烷或酚醛树脂的质量百分含量大于0,小于等于70%;
(2)在真空度为10-1-10-2乇的条件下,将步骤1制备的浆料进行干燥;干燥后的粉体经研磨,过筛后密封保存;
(3)将步骤2的过筛后的粉体,先干压再冷等静压形成坯体;
(4)将步骤3形成的坯体,在N2或NH3气氛保护下,于1300-1800℃进行高温原位氮化反应,使活性填料与有机前驱体裂解的产物反应,和/或活性填料与N2或NH3气氛进行反应生成含h-BN的复合块体材料。
2.按权利要求1所述的原位氮化制备含六方氮化硼的复合材料的方法,其特征在于所述的作为惰性填料的陶瓷粉料为SiC、Si3N4、AlN、ZrC、ZrB2或Al2O3。
3.按权利要求1所述的原位氮化制备含六方氮化硼的复合材料的方法,其特征在于作为活性填料的硼粉为化学纯,粒径小于45μm。
4.按权利要求1所述的原位氮化制备含六方氮化硼的复合材料的方法,其特征在于方法A和B升温至1300-1800℃时原位氮化反应时间为1-5小时。
5.按权利要求1或4所述的原位氮化制备含六方氮化硼的复合材料的方法,其特征在于方法A升温到1300-1800℃的速率为10-30℃/min。
6.按权利要求1或4所述的原位氮化制备含六方氮化硼的复合材料的方法,其特征在于方法B升温到1300-1800℃的速率为1-15℃/min。
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