[发明专利]一种可提高使用寿命的电迁移测试结构有效
| 申请号： | 200810035088.5 | 申请日： | 2008-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101546751A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 万兴;王玉科;周华阳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可提高使用寿命的电迁移测试结构。现有技术中的电迁移测试结构的第一和第二插塞分别距第一导线段的两端部各一预设距离，从而造成电迁移测试结构寿命较低和电迁移可靠性下降。本发明的可提高使用寿命的电迁移测试结构将第一和第二插塞分别设置在与第一导线段两端部对齐的位置，从而使第一和第二插塞的扩散阻挡层与第一导线段的扩散阻挡层电性连接。采用本发明可大大提高电迁移测试结构的使用寿命，并有效提高电迁移测试的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 使用寿命 迁移 测试 结构 | ||
【主权项】：
1、一种可提高使用寿命的电迁移测试结构，设置在相邻的第一和第二金属间介质层中，其包括一设置在第一金属间介质层中的第一导线段以及设置在该第一导线段上且位于第二金属间介质层中的第一和第二双镶嵌结构，该第一双镶嵌结构具有垂直连接的第一插塞和第二导线段，该第二双镶嵌结构具有垂直连接的第二插塞和第三导线段，该第一和第二插塞直接设置在该第一导线段上，其特征在于，该第一和第二插塞分别与该第一导线段的两端部对齐。
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