[发明专利]半导体器件主位线失效的检测方法和检测系统有效
| 申请号： | 200810033051.9 | 申请日： | 2008-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101494089A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 肖游;陈澎松;易晶晶;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/04 | 分类号： | G11C29/04 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件主位线失效的检测方法和检测系统。该检测方法包括：选取至少2条字线，分别位于存储阵列不同的物理扇区；逐一测量所选字线与每一局部位线交叉位置处存储单元的工作电流；若测量工作电流大于基准工作电流，则判定该存储单元为异常存储单元；反之，则判定该存储单元为正常存储单元；对应每一局部位线，如果在所选字线上的存储单元均为异常存储单元，则判定控制该局部位线的主位线失效；如果在所选字线上的存储单元存在正常存储单元，则说明控制该局部位线的主位线没有失效。本发明提供的检测方法和检测系统通过对工作电流的测试实现对主位线失效的监控，既可应用于CP之前、之后，又可插入CP中，减少CP时间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 主位线 失效 检测 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件主位线失效的检测方法，所述半导体器件的存储阵列包括若干条字线和位线，所述位线包括位于较低制造层上的局部位线以及位于较高制造层控制数条局部位线的主位线；其特征在于，所述检测方法包括如下步骤：a.选取至少2条字线，分别位于存储阵列不同的物理扇区；b.逐一测量所选字线与每一局部位线交叉位置处存储单元的工作电流；若测量工作电流大于基准工作电流，则判定该存储单元为异常存储单元；反之，则判定该存储单元为正常存储单元；c.对应每一局部位线，如果在所选字线上的存储单元均为异常存储单元，则判定控制该局部位线的主位线失效；对应每一局部位线，如果在所选字线上的存储单元存在正常存储单元，则说明控制该局部位线的主位线没有失效。
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