[发明专利]半导体器件主位线失效的检测方法和检测系统

权利要求书

1.一种半导体器件主位线失效的检测方法，所述半导体器件的存储阵列包括若 干条字线和位线，所述位线包括位于较低制造层上的局部位线以及位于较高制 造层控制数条局部位线的主位线；其特征在于，所述检测方法包括如下步骤：

a.选取至少2条字线，分别位于存储阵列不同的物理扇区；

b.逐一测量所选字线与每一局部位线交叉位置处存储单元的工作电流；若 测量工作电流大于基准工作电流，则判定该存储单元为异常存储单元；反之， 则判定该存储单元为正常存储单元；

c.对应每一局部位线，如果在所选字线上的存储单元均为异常存储单元， 则判定控制该局部位线的主位线失效；对应每一局部位线，如果在所选字线上 的存储单元存在正常存储单元，则说明控制该局部位线的主位线没有失效。

2.如权利要求1所述的半导体器件主位线失效的检测方法，其特征在于，步骤 a中，选取位于不同物理扇区的3条字线；步骤c中，对应每一局部位线，如果 所述3条字线上的存储单元均为异常存储单元，则判定控制该局部位线的主位 线为失效。

3.如权利要求2所述的半导体器件主位线失效的检测方法，其特征在于，步骤 a中，选取的3条字线分别为存储阵列最顶端、中间、最低端的字线。

4.如权利要求1所述的半导体器件主位线失效的检测方法，其特征在于，所述 半导体器件是指氮化物只读存储器。

5.一种采用如权利要求1所述的半导体器件主位线失效的检测方法的检测系 统，其特征在于：所述检测系统包括选取模块、检测模块以及输出模块；选取 模块选取晶圆上需要检测的芯片，检测模块执行权利要求1所述的检测步骤； 输出模块输出是否有主位线失效或者/以及失效条数。