[发明专利]一种高调制、高取向钛锡酸钡铁电薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200810032969.1 | 申请日： | 2008-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101219805A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 翟继卫;宋三年 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C01G23/00 | 分类号： | C01G23/00;C04B35/462;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 李强;余明伟 |
| 地址： | 200092上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高调制、高取向钛锡酸钡铁电薄膜的制备方法，包括以下步骤：a.按照配比BaSnxTi1－xO3，x＝0.10～0.20；将醋酸钡、二丁基氧化锡、钛酸四正丁酯溶于冰醋酸和乙二醇乙醚，配制为前驱体溶液，前驱体溶液的最终浓度控制在0.03～0.08M；b.先把Pt(111)/Ti/SiO2/Si基片置于700℃的管式炉中处理25～35分钟；c.在步骤b获得的基片上，将前驱体溶液旋转涂覆第一层薄膜，旋转速度为3000～4000转/分，时间为20～30秒；d.对第一层薄膜采用160℃～200℃处理1～2分钟，450℃～550℃处理1～2分钟，700℃处理25～40分钟；e.在第一层薄膜上旋转涂覆多层步骤a获得的前驱体溶液，160℃～200℃处理1～2分钟，450℃～550℃处理1～2分钟，700℃处理4～6分钟。本方法可用于制备钛锡酸钡铁电薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调制 取向 钛锡酸钡铁电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高调制、高取向钛锡酸钡铁电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a、按照配比BaSnxTi1-xO3，x＝0.10～0.20；将醋酸钡、二丁基氧化锡、钛酸四正丁酯溶于冰醋酸和乙二醇乙醚，配制为前驱体溶液，前驱体溶液的最终浓度控制在0.03～0.08M；b、先把Pt(111)/Ti/SiO2/Si基片置于650℃～750℃的管式炉中处理25～35分钟；c、在步骤b获得的基片上，将前驱体溶液旋转涂覆第一层薄膜，旋转速度为3000～4000转/分，时间为20～30秒；d、对第一层薄膜采用160℃～200℃处理1～2分钟，450℃～550℃处理1～2分钟，680℃～720℃处理25～40分钟；e、在第一层薄膜上旋转涂覆多层步骤a获得的前驱体溶液，160℃～200℃处理1～2分钟，450℃～550℃处理1～2分钟，680℃～720℃处理4～6分钟。
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