[发明专利]一种用于多晶硅铸锭工艺的真空压力连续控制方法及其控制系统有效
| 申请号： | 200810030829.0 | 申请日： | 2008-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101311341A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 肖益波;王滋渊;陈国红;童晖 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人： | 马强 |
| 地址： | 410111湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于多晶硅铸锭工艺真空压力连续控制方法，在炉温加热到阶段采用真空模式，进入熔化、生长、退火、冷却阶段，采用气体调压模式，在气体调压模式下，采用进气调节和排气调节两种模式来调节炉压。同时，还公开了一种实现上述控制方法的控制系统。本发明能用于多晶硅铸锭生产，稳定地控制真空炉压，保证进气、排气同时稳定，节省输入气体耗量，简单实用、且控制效果理想。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 多晶 铸锭 工艺 真空 压力 连续 控制 方法 及其 控制系统 | ||
【主权项】：
1、一种用于多晶硅铸锭工艺真空压力连续控制方法，其特征在于，炉温≤1175℃时，对加热炉内抽真空，当炉温升到＞1175℃后直到冷却结束阶段，对加热炉进行气体调压，实时检测加热炉内真空压力，进行压力闭环调节；所述压力闭环调节是根据炉温范围选择进气调节和排气调节两种方式，进气调节时，恒定抽气量，调节进气流量；排气调节时，恒定进气流量，调节排气量。
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