[发明专利]发光二极管芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 200810029890.3 | 申请日： | 2008-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101325236A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 樊邦扬;翁新川 | 申请（专利权）人： | 鹤山丽得电子实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529728广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法。该方法包括：制备热沉基板，在热沉基板的上表面上形成金属层，并将金属层构图为形成于中心部分的第一部分和形成于周边部分的第二部分，第一部分和第二部分彼此隔离；制备裸芯，该裸芯包括衬底、形成于衬底上的n型半导体层、形成于n型半导体层的中心部分的发光层、形成于发光层上的p型半导体层、形成于p型半导体层上的反射层和形成于n型半导体层的周边部分上的电极层；将热沉基板的上表面上的该金属层的第一部分和第二部分与裸芯的反射层和电极层分别接合；移除裸芯的衬底；以及形成保护层以覆盖移除了衬底的裸芯的上表面和侧面。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种发光二极管芯片的制造方法，包括：制备热沉基板，在该热沉基板的上表面上形成金属层，并将该金属层构图为形成于中心部分的第一部分和形成于周边部分的第二部分，第一部分和第二部分彼此隔离；制备裸芯，该裸芯包括衬底、形成于该衬底上的n型半导体层、形成于该n型半导体层的中心部分的发光层、形成于该发光层上的p型半导体层、形成于该p型半导体层上的反射层和形成于该n型半导体层的周边部分上的电极层；将该热沉基板的上表面上的该金属层的第一部分和第二部分与该裸芯的反射层和电极层分别接合；移除该裸芯的衬底；以及形成保护层以覆盖移除了衬底的裸芯的上表面和侧面。
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