[发明专利]发光二极管芯片及其制造方法

权利要求书

1、一种发光二极管芯片的制造方法，包括：

制备热沉基板，在该热沉基板的上表面上形成金属层，并将该金属层构图为形成于中心部分的第一部分和形成于周边部分的第二部分，第一部分和第二部分彼此隔离；

制备裸芯，该裸芯包括衬底、形成于该衬底上的n型半导体层、形成于该n型半导体层的中心部分的发光层、形成于该发光层上的p型半导体层、形成于该p型半导体层上的反射层和形成于该n型半导体层的周边部分上的电极层；

将该热沉基板的上表面上的该金属层的第一部分和第二部分与该裸芯的反射层和电极层分别接合；

移除该裸芯的衬底；以及

形成保护层以覆盖移除了衬底的裸芯的上表面和侧面。

2、根据权利要求1的方法，还包括在移除该裸芯的衬底之后和形成保护层之前，将暴露的n型半导体层的表面粗糙化以形成表面粗化层。

3、根据权利要求1的方法，其中在该热沉基板的上表面中形成有双齐纳二极管以形成静电放电层。

4、根据权利要求1的方法，其中将该热沉基板的上表面上的该金属层与该裸芯的反射层和电极层分别接合的方法选自超声波热压法、共晶焊接法、真空热压法、回流焊接法。

5、根据权利要求1的方法，其中移除该裸芯的衬底的方法选自化学蚀刻、研磨或激光剥离。

6、根据权利要求1-5的任一的方法，其中该p型半导体层、该发光层、该n型半导体层的材料选自GaN、InGaN或AlInGaP。

7、根据权利要求1-5的任一的方法，其中该反射层和电极层的材料选自Al、Ag、BeAu、Pt、Cr、Mo、W、Au、ITO、RuO₂、ZnO及NiO或其组合。

8、根据权利要求1-5的任一的方法，其中该热沉基板的材料选自硅、铜、钼、氮化镓、氮化铝、碳化硅以及或其组合。

9、根据权利要求1-5的任一的方法，其中该金属层的材料选自Al、Ag、Pt、Cr、Mo、W、Au、Cu、Ni、BeAu或其组合。

10、根据权利要求1-5的任一的方法，其中该保护层的材料选自银胶、环氧树脂、旋涂玻璃、硅胶、含荧光粉的AB胶或其组合。

11、根据权利要求1-5的任一的方法，其中该衬底的材料选自硅、砷化镓、蓝宝石。

12、一种发光二极管芯片，包括：

热沉基板，在该热沉基板的上表面上形成有金属层，该金属层包括处于中心部分的第一部分和处于周边部分的第二部分，第一部分和第二部分彼此隔离；

裸芯，该裸芯包括：

形成于金属层的第一部分上方并与之接合的反射层；

形成于该反射层上的p型半导体层；

形成于该p型半导体层上的发光层；

形成于该发光层上的n型半导体层，该n型半导体层包括中心部分和周边部分，该中心部分与该发光层在平面图上重叠；以及

形成于该金属层的第二部分和该n型半导体层的周边部分之间的电极层；以及

保护层，包覆该裸芯的p型半导体层、发光层、n型半导体层以及电极层。

13、根据权利要求12的芯片，还包括形成于n型半导体层和保护层之间的表面粗化层。

14、根据权利要求12的芯片，其中形成于该热沉基板的上表面中的双齐纳二极管以形成静电放电层。

15、根据权利要求12-14的任一的芯片，其中该p型半导体层、发光层、n型半导体层的材料选自GaN、InGaN或AlInGaP。

16、根据权利要求12-14的任一的芯片，其中该反射层和电极层的材料选自Al、Ag、BeAu、Pt、Cr、Mo、W、Au、ITO、RuO₂、ZnO及NiO或其组合。

17、根据权利要求12-14的任一的芯片，其中该热沉基板的材料选自硅、铜、钼、氮化镓、氮化铝、碳化硅以及或其组合。

18、根据权利要求12-14的任一的芯片，其中该金属层的材料选自Al、Ag、Pt、Cr、Mo、W、Au、Cu、Ni、BeAu或其组合。