[发明专利]大尺寸非极性面GaN自支撑衬底制备方法有效
| 申请号： | 200810019103.7 | 申请日： | 2008-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN101281863A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 修向前;张荣;谢自力;陆海;郑有炓;顾书林;施毅;韩平;朱顺明;胡立群 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C30B25/18;C30B29/40;C30B29/38 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汤志武;王鹏翔 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 大尺寸非极性面GaN自支撑衬底制备方法，在HVPE生长系统中将铝酸锂衬底放入反应器中后，先生长缓冲层。温度为500－800℃，然后升温至生长温度开始生长GaN，生长温度1000－1100℃。生长至合适的厚度后，停止生长；冷却后获得完整的自支撑GaN衬底，铝酸锂衬底自动分离。本发明利用了铝酸锂衬底和GaN之间的小的晶格失配来获得低位错密度的非极性面GaN薄膜；本发明方案充分利用两者之间大的热失配来使得二者相分离，无需按照一定降温速率降温，并且晶体质量明显改善，而且成品率高，采用本发明方案利于规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 尺寸 极性 gan 支撑 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、大尺寸非极性面GaN自支撑衬底制备方法，利用(100)铝酸锂衬底制备大尺寸非极性GaN自支撑衬底，其特征是在HVPE生长系统中将铝酸锂衬底放入反应器中后，先生长缓冲层：温度为500-800℃，气体流量分别是：NH3流量为500-1500sccm，NH3载气流量为500sccm，HCl流量为10-20sccm，HCl载气流量为200sccm，总氮气为2000-3000sccm：生长时间30-120秒；反应器中后升温至生长温度开始生长GaN，生长温度1000-1100℃，气体流量分别是，NH3流量为500-2000sccm，NH3载气流量为500sccm；HCl流量为10-50sccm，HCl载气流量为200sccm；总氮气为2000-3500sccm；生长至合适的厚度后，停止生长；冷却后获得完整的自支撑GaN衬底，铝酸锂衬底自动分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
