[发明专利]电位切换器有效
| 申请号： | 200810009285.X | 申请日： | 2008-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN101227181A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 杨智文;陈省华 | 申请（专利权）人： | 智原科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/037 | 分类号： | H03K3/037;H03K3/356;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电位切换器，包括：非门，连接于第一电压源使得该非门可操作在第一高电位和低电位之间，该非门输入端连接至信号输入端；第一PMOS晶体管，其源极连接至第二电压源，其栅极连接至控制端；第一NMOS晶体管，其漏极连接至该第一PMOS晶体管漏极并且为信号输出端，其栅极连接至该非门输出端，其源极连接至该参考电位；以及，控制电路，连接至该信号输入端、该非门输出端、以及该第二电压源，并且，该控制电路的该控制端可开启该第一PMOS晶体管使得该信号输出端输出第二高电位，以及关闭该第一PMOS晶体管使得该信号输出端输出该低电位。本发明的电位切换器具备有低消耗功率与低传递延迟的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 电位 切换 | ||
【主权项】：
1.一种电位切换器，包括：非门，连接于第一电压源使得该非门能够操作在第一高电位和低电位之间，该非门输入端连接至信号输入端；其中，该第一高电位近似于该第一电压源而该低电位近似于参考电位；第一PMOS晶体管，其源极连接至第二电压源，其栅极连接至控制端；第一NMOS晶体管，其漏极连接至该第一PMOS晶体管漏极并且为信号输出端，其栅极连接至该非门输出端，其源极连接至该参考电位；以及控制电路，连接至该信号输入端、该非门输出端、以及该第二电压源，并且当该信号输入端为该第一高电位且该非门输出端为该低电位时，该控制电路的该控制端能够开启该第一PMOS晶体管使得该信号输出端输出第二高电位，而当该信号输入端为该低电位且该非门输出端为该第一高电位时，该控制电路的该控制端能够关闭该第一PMOS晶体管使得该信号输出端输出该低电位。
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