[发明专利]利用一个或多个半导体衬底制造材料的独立式厚度的方法

摘要

一种利用一种或多种半导体衬底来制造材料的独立式厚度，例如单晶硅、多晶硅、硅锗、锗、第III/IV族物质以及其他物质的方法。本方法包括提供具有表面区域和厚度的半导体衬底。该方法包括使半导体衬底的表面区域经受以利用直线性加速器产生的第一注入角度提供的第一多个高能粒子，以在切割区域内形成多个吸取部位的区域，该切割区域被提供在表面区域下方以限定待分开的材料的厚度，半导体衬底被保持在第一温度。本方法包括使半导体的表面区域经受利用直线性加速器产生的第二注入角度提供的第二多个高能粒子，提供该第二多个高能粒子以将切割区域的应力水平从第一应力水平增加至第二应力水平。本发明方法利用切割工艺使可分开物质的厚度独立。

主权项

1.一种利用一个或多个半导体衬底来制造材料的独立式厚度的方法，包括：提供具有表面区域和厚度的半导体衬底；使所述半导体衬底的表面区域经受利用直线性加速器产生的第一多个高能粒子，以在切割区域内形成多个吸取部位的区域，所述切割区域被提供在所述表面区域下方以限定待分开的材料的厚度，所述半导体衬底被保持在第一温度，所述第一高能粒子以第一注入角度被提供；使所述半导体衬底经受处理工艺；使所述半导体衬底的表面区域经受利用所述直线性加速器产生的第二多个高能粒子，提供所述第二多个高能粒子以将所述切割区域的应力水平从第一应力水平增加至第二应力水平，使所述半导体衬底保持在第二温度，以第二注入角度提供所述第二多个粒子；以及利用切割工艺使可分开材料的厚度独立。